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    抢先台积电,消息称三星电子将于 6 月 30 日开始量产 3 纳米芯片

    2022年06月29日 11:26:33   来源:IT之家

      6 月 29 日消息,据 BusinessKorea 报道,三星电子将于 6 月 30 日开始批量生产基于全环绕栅极(GAA)技术的 3 纳米半导体。

      报道称,三星电子将于 6 月 30 日正式宣布大规模生产基于 GAA 的 3 纳米半导体。GAA 晶体管结构优于目前的 FinFET 结构,因为它可以减少芯片尺寸和功耗。

      如果消息属实的话,那么三星电子将抢先台积电和英特尔量产 3 纳米芯片,后两家公司分别计划在今年下半年和明年下半年开始大规模生产 3 纳米芯片。

      今年早些时候,一些行业观察家提出担心,由于产量低的问题,三星电子可能推迟 3 纳米半导体的大规模生产。然而,这些担忧被证明是毫无根据的。

      在竞争激烈的 3nm 制程工艺方面,三星电子和台积电的技术路线并不相同,三星电子率先采用全环绕栅极(GAA)晶体管,台积电则是继续采用鳍式场效应晶体管(FinFET)架构。三星电子此前曾表示,采用全环绕栅极晶体管技术的 3nm 制程工艺,同当前的鳍式场效应晶体管架构相比,性能将提升 30%,能耗降低 50%,逻辑面积效率提升超过 45%。

      文章内容仅供阅读,不构成投资建议,请谨慎对待。投资者据此操作,风险自担。

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